В. А. Юзова , Г. Н. Шелованова - Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники: пособие по курсовой работе

ТРЕБОВАНИЯ ПО ОФОРМЛЕНИЮ

Федеральное государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
______________________________________________
Институт

_________________________________________________________________
Кафедра

ЗАДАНИЕ
на курсовую работу
1. Тема курсовой работы________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
2. Дата выдачи задания ___________________________________________
3. Срок сдачи студентом законченной работы ________________________
_______________________________________________________________
5. Исходные данные к курсовой работе:
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________

___________________________________________________________
6. Перечень вопросов, рассматриваемых в курсовой работе
_________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________

___________________________________________________________

Преподаватель

__________
подпись, дата

Студент ______________
код (номер) группы

_____________

инициалы, фамилия

__________
подпись, дата

_____________
инициалы, фамилия

Рис. 1.2. Пример оформления листа задания на выполнение курсовой работы

Каждый раздел текстового документа рекомендуется начинать с нового листа
(страницы).


Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Пособие по курсовой работе

10

1. СТРУКТУРА КУРСОВОЙ РАБОТЫ И ТРЕБОВАНИЯ ПО ОФОРМЛЕНИЮ

Текст пояснительной записки выполняют с использованием компьютера на одной стороне листа белой бумаги формата А4 (210×297) мм шрифтом
Times New Roman размером 14. Межстрочный интервал принимают одинарным либо полуторным. Абзацный отступ – 1,25 см.
В текстовом документе допускается отдельные слова, формулы, условные знаки, иллюстрации выполнять от руки, используя чертежный шрифт
(черной пастой или тушью). В тексте не следует применять сокращения слов,
кроме установленных правилами русской орфографии.
Пояснительную записку в курсовой работе допускается выполнять без
рамки и основной надписи с соблюдением следующих размеров полей: левое –
30 мм, верхнее и нижнее – 20 мм, правое – 10 мм.
Иллюстрации, таблицы, графики библиографический список нужно
оформлять согласно стандарту СФУ СТО 4.2-07–2008 [7, раздел 7].



Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Пособие по курсовой работе

11

2. ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

Тематика курсовой работы связана с аттестацией полупроводниковой
твердотельной среды, выполненной в виде подложки.
У преподавателя имеется набор полированных с одной или двух сторон
подложек из кремния, германия или арсенида галлия. Выбор данных материалов обусловлен широким их использованием в электронике и наноэлектронике. Материал подложек находится в монокристаллическом состоянии
различной кристаллографической ориентации. Подбирают подложки, имеющие материалы с различными уровнем легирования, типом и составом легирующей примеси, т. е. подложки имеют неодинаковые как структурные, так
и электрические характеристики.
В настоящее время для исследований подобраны следующие подложки.
Материал подложки – кремний.
Подложки изготовлены из монокристаллических пластин n- и p-типа
электропроводности.
Легирующими примесями являются фосфор, бор.
Удельная электропроводность материала подложек варьируется от 0,1
до 50 Ом · см.
Кристаллографическая ориентация подложек (100) и (111).
Материал подложки – арсенид галлия.
Подложки изготовлены из монокристаллических пластин n- и p-типа
электропроводности.
Легирующими примесями являются цинк и теллур.
Концентрация основных носителей заряда варьируется от 2 · 1015 до
5 · 1017 см–3.
Кристаллографическая ориентация подложек (100) и (111).
Материал подложки – германий.
Подложки изготовлены из монокристаллических пластин n- и p-типа
электропроводности.
Легирующими примесями являются цинк и теллур.
Удельная электропроводность материала подложек 0,1 до 10 Ом·см.
Кристаллографическая ориентация подложек (100).
Преподаватель вправе предоставить подложки с иными характеристиками.



Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Пособие по курсовой работе

12

2. ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ --">