П. Н. Дробот - Актуальные проблемы наноэлектроники

ресурс] // École polytechnique

fédérale de Lausanne (EPFL). Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures
(LANES). URL: http://lanes.epfl.ch/cms/site/lanes/lang/en/mos2ic-news

(дата

обращения: 25.12.2011).
6.

K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Du-

bonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov. Electric Field Effect in Atomically Thin
Carbon Films // Science .– 2004./p. 666-669.
7.

А.К. Гейм. Случайные блуждания: непредсказуемый путь к графену.

Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2010 г. // УФН .– Т. 181 .– № 12.–
с.1284–1298.
8.

Zhihong Chen, Yu-Ming Lin, Michael J. Rooks, Phaedon Avouris. Graphene

nano-ribbon electronics // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. – v. 40 .– p. 228–232.
9.

Alfonso Reina, Xiaoting Jia, John Ho, Daniel Nezich, Hyungbin Son, Vladi-

mir Bulovic, Mildred S. Dresselhaus and Jing Kong. Large Area, Few-Layer Graphene Films on Arbitrary Substrates by Chemical Vapor Deposition // Nano Letters.– 2009.– v. 9 (1), p. 30–35.
10. Hyesung Park, Jill A. Rowehl, Ki Kang Kim, Vladimir Bulovic and Jing
Kong. Doped graphene electrodes for organic solar cells // Nanotechnology.–
2010.– v.21.– p. 1 – 6.
11. X.Li, W. Cai1, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I.
Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo and R. S. Ruoff. Large-Area Synthesis
of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils // Science.– 2009.–
Vol. 324.–№. 5932ю–p. 1312-1314.
12. Suzanne Deffree. University produces 100-mm graphene wafers [Электронный

ресурс]//Electronics Design News,

February

3,

2010.

URL:

http://

61

www.edn.com/article/457398 University_produces_100_mm_graphene_wafers.ph
p (дата обращения: 21.10.2011).
13. Gordon E. Moore. Cramming more Components onto Integrated Circuits. //
Electronics .– 1965 .– Vol. 38.– Num. 8.
14. Ф.А. Кузнецов. Новые материалы и технологии для приборов наноэлектроники (Учреждение Российской академии наук Институт неорганической
химии им. А.В. Николаева СО РАН): [Электронный ресурс] :URL: http://educons.net/atlas_last/publdet.php?idrazd=222&id=233

(дата

обращения

20.12.2011).
15. Закoн Мура: каким путем пойдет дальнейшее развитие полупроводников:

[Электронный

ресурс]

:

URL:

http://www.nanonewsnet.ru/articles/2009/zakon-mura-kakim-putem-poidetdalneishee-razvitie-poluprovodnikov (дата обращения 20.12.2011).
16. А.А. Щука. Электроника. Учебное пособие / Под ред. проф. А. С. Сигова. – СПб.: БХВ-Петербург, 2005 .– 800 с.
17. Иванов Ю.Л., Рывкин С.М. Возникновение колебаний тока в образцах
германия, помещенных в электрическое и продольное магнитное поле
//ЖТФ.–1958.–Т.28.–Вып.4.–С.774-775.
18. Ленерт Б. Процессы диффузии в положительно заряженном цилиндре в
продольном магнитном поле // Труды Второй Междунар. конф. по мирному
использованию атомной энергии, Женева, 1958.– М.: Атомиздат.– 1959.– Избранные докл. иностр. ученых.–Т.1.–С. 648-651.
19. Kadomtsev B. B., Nedospasov A.V. Instability of the positive column in a
magnetic field and the anomalous diffusion effect // J. Nucl. Energy.–1960.– part C
: Plasma Physics .– V.1.– Р. 230-235.
20. Кадомцев Б.Б. Конвекция плазмы положительного столба в магнитном
поле // ЖТФ .– 1961 .– Т.31 .– Вып.11 .– С.1273-1283.
21. Кадомцев Б.Б. Коллективные явления в плазме.– М.: Наука.– 1988.–304
с.

62

22. Allen T.K., Paulikas G. A., Pyle R.V. Instability of a positive column in
a magnetic field // Phys . Rev. Lett. – 1960 .– V.5 .– №9 .– p. 409-411.
23. Hoh F.C., Lehnert B. Screw Instability of a Plasma Column // Phys. Rev.
Lett.–1961.–V.7.–№.3.–P.75-76.
24. Glicksman M. Instabilities of a Cylindrical Electron-Hole Plasma in a Magnetic Field // Phys. Rev.–1961.–V.124.–№6.–P.1655-1664.
25. Okamoto F., Koike T., Tosima S. Experimental evidence for helical instabilities in a semiconductor plasma // J. Phys. Soc. Japan . – 1962.– V.17.–№ 5 .–
Р.804-807.
26. Электроника. Энциклопедический словарь.–М. : Советская энциклопедия .– 1991.– С. 58.
27. Larrabee R.D., Steel M.C. Oscillistor - New Type Semiconductor Oscillator
// J. Appl. Phys.–1960.– v.31.– №9.– Р.1519-1523.
28. Larrabee R.D. Conditions existing at the onset of oscillistor action // J. Appl.
Phys.–1963.–V.34.–№4.–Р.880-890.
29. Gunn J.B. Microwave oscillation of current in III-V-semiconductor.//
Sol.St.Com.–1963.–V.1.– Р.88-90.
30. Hartnagel H. Semiconductor plasma instabilities.–London: H. Ed. Books.–
1969.–206 р.
31. Анкер-Джонсон Б. Плазменные эффекты в полупроводниках. // Труды 9
Международной конф. по физ.полупр.–Л.:Наука, 1969.–С.859-879.
32. Glicksman M. Plasmas in Solids // Sol. St. Phys .– 1971.– V. 25.– Р. 275427.
33. Tacano M. Study of nonequilibrium semiconductor plasma instabilities //
Res. Electrotechn. Lab.–1976.–№764.–p.1–82.
34. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках.–
М.: Наука.–1977.–368 с.
35. Владимиров В. В., Волков В. Ф., Мейлихов Е. З. Плазма полупроводников.– М.: Атомиздат .–1979.–256 с.

63

36. Викулин И.М., Люзе Л.Л., Пре- снов В.А. Приборы на основе винтовой нестабильности в германии // В кн.: Полупроводниковые приборы и их
применение.– М.: Советское радио .– 1969 .– Вып.22 .– С.42-57.
37. Бондар В. М., Владимиров В. В., Доскоч В. И., Щедрин А. И. Тензодатчик на основе осциллисторного эффекта . // ПТЭ .– 1981 .– №3 .– С.244-246.
38. Бондар В. М. , Сидоренко Э. А. , Яковлев В. В. Термометр на основе осциллисторного эффекта. // ПТЭ .– 1982 .– №4 .– С.229-230.
39. А.С. 1004745, МКИ3 G 01 B 7/00 Преобразователь перемещения
/А.И.Чередов,

Л.Л.Люзе,

Н.Д.Земляная,

Т.В.

Кандрушина

(СССР).–

№3286758/25-28; Опубл. 15.03.83, Бюл.№ 10.
40. Викулин И. М. , Викулина Л. Ф. , Стафеев В. И. Магнитодиод в --">