П. Н. Дробот - Актуальные проблемы наноэлектроники

параллельном магнитном поле . // В кн.: Гальваномагнитные приборы .– М.–
1983.– с.39-43.
41. Пат.1686940 РФ, МПК G01 R33/06 Датчик магнитной индукции с частотным

выходом

/

В.И.Гаман.,

П.Н.Дробот

и

др.

//Открытия.Изобретения.1993.№ 4546.
42. Gaman V.I., Drobot P.N. The magnetic sensors with frequency output // Proceedings 5th International conference on actual problems of electronic instrument
engineering APEIE-2000.V.1, Selected papers.Novosibirsk.2000.P. 158-159.
43. Cвид. РФ на полезную модель № 974, МПК G01 K7/00 (RU 974 U1)
Датчик

температуры

с

частотным

выходом / В.И.Гаман, П.Н.Дробот

//Открытия. Изобретения.1995.№ 10.
44. Гаман В.И., Дробот П.Н. Термочувствительный элемент с частотным
выходом на основе кремниевого осциллистора. // Изв.вузов. Физика.1995.№ 2.С.4853.
45. Дробот П.Н. Пороговый термочувствительный элемент на основе винтовой неустойчивости в кремнии //Доклады 2-й Международной конференции «Датчики электрических и неэлектрических величин». г. Барнаул.
1995. С.178.

64

46. Gaman V.I., Drobot P.N. Oscillis- tor sensors with a frequency output
based on a silicon structures //Proceedings 4th International conference on actual
problems

of

electronic

instrument

engineering

APEIE-

98.Novosibirsk.1998.V.1, Selected papers.p. 133-135.
47. Дробот П.Н., Дробот Д.А., Тетеркина Н.Г. Кремниевый осциллисторный
сенсор температуры: аналоги и преимущества // Инноватика-2010. Материалы VI всероссийской научно-практической конференции. – Томск, 2010 г.–
с.119–123.
48. Дробот П.Н., Тетеркина Н.Г. Осциллисторные сенсоры температуры с
частотным выходом: патентно-информационные исследования и анализ рынков // Средства и системы автоматизации: проблемы и решения: Материалы
Юбилейной 20 лет компании «Элеси» международной научно практической
конференции.-Томск, 2010.– с. 41 – 43.
49. Дробот П.Н., Дробот Д.А. Осциллисторные сенсоры с частотным выходом // Измерения, автоматизация и моделирование в промышленности и научных исследованиях. Межвузовский сборник. ISSN 2223-2656. Изд. АлтГТУ.– 2011 .– с.120 – 123
50. H. Li at al. Chemically Derived, Ultrasmooth Graphene Nanoribbon Semiconductors // Science .– v. 319.– № 5867 .– p. 1229-1232.
51. Xinran Wang, Yijian Ouyang, Xiaolin Li, Hailiang Wang, Jing Guo and
Hongjie Dai. Room-Temperature All-Semiconducting Sub-10-nm Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors // Phys. Rev. Lett .– 2008 . – v.100.–Issue 20 .– p.
206803-1–4.
52. Yu-Ming Lin, Keith A. Jenkins, Alberto Valdes-Garcia, Joshua P. Small, Damon B. Farmer and Phaedon Avouris. Operation of Graphene Transistors at Gigahertz Frequencies // Nano Lett., 2009 .– 9 (1) .– p. 422–426.
53. Yanqing Wu, Yu-ming Lin, Ageeth A. Bol, Keith A. Jenkins, Fengnian Xia,
Damon B. Farmer, Yu Zhu & Phaedon Avouris. High-frequency, scaled graphene
transistors on diamond-like carbon // Nature, 2011.– v. 472.– p. 74–78.

--">