Г. Н. Шелованова - Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники: курс лекций

УДК 621.38(075)
ББК 32.85я73
Ш42
Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники» подготовлен в рамках реализации Программы развития федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Сибирский федеральный университет»
(СФУ) на 2007–2010 гг.
Рецензенты:
Красноярский краевой фонд науки;
Экспертная комиссия СФУ по подготовке учебно-методических комплексов дисциплин

Ш42

Шелованова, Г. Н.
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники
[Электронный ресурс] : курс лекций / Г. Н. Шелованова. – Электрон. дан.
(6 Мб). – Красноярск : ИПК СФУ, 2009. – (Актуальные проблемы современной
электроники и наноэлектроники : УМКД № 1524/1092–2008 / рук. творч. коллектива Г. Н. Шелованова). – 1 электрон. опт. диск (DVD). – Систем. требования : Intel Pentium (или аналогичный процессор других производителей) 1 ГГц ;
512 Мб оперативной памяти ; 50 Мб свободного дискового пространства ; привод DVD ; операционная система Microsoft Windows XP SP 2 / Vista (32 бит) ;
Adobe Reader 7.0 (или аналогичный продукт для чтения файлов формата pdf).
ISBN 978-5-7638-1686-0 (комплекса)
ISBN 978-5-7638-1753-9 (курса лекций)
Номер гос. регистрации в ФГУП НТЦ «Информрегистр» 0320902505 (комплекса)
Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники», включающего учебную программу дисциплины, лабораторный практикум,
пособие по курсовой работе, методические указания по самостоятельной работе, контрольно-измерительные материалы «Актуальные проблемы современной электроники
и наноэлектроники. Банк тестовых заданий», наглядное пособие «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Презентационные материалы».
В данном издании представлены материалы, отражающие современное состояние
микро- и наноэлектроники, а также перспективы развития этих отраслей.
Предназначен для студентов направления подготовки магистров 210100.68
«Электроника и микроэлектроника» укрупненной группы 210000 «Электроника, радиотехника и связь», а также может быть использован всеми интересующимися электроникой и наноэлектроникой.
© Сибирский федеральный университет, 2009
Рекомендовано к изданию Инновационно-методическим управлением СФУ
Редактор Л. И. Вейсова

Разработка и оформление электронного образовательного ресурса: Центр технологий электронного обучения Информационно-телекоммуникационного комплекса СФУ; лаборатория
по разработке мультимедийных электронных образовательных ресурсов при КрЦНИТ
Содержимое ресурса охраняется законом об авторском праве. Несанкционированное копирование и использование данного продукта запрещается. Встречающиеся названия программного обеспечения, изделий, устройств или систем могут являться зарегистрированными товарными знаками тех или иных фирм.

Подп. к использованию 30.11.2009
Объем 6 Мб
Красноярск: СФУ, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79

Оглавление
ПРЕДИСЛОВИЕ ........................................................... 7
ЛЕКЦИЯ 1 РОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ В СОЗДАНИИ
УСТРОЙСТВ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ .......... 8
1.1. Поверхность и её свойства.................................................................................. 8
1.2. Поверхностный потенциал ................................................................................ 10
1.3. Поверхностные состояния. Уровни Тамма ..................................................... 12
1.4. Быстрые и медленные поверхностные состояния....................................... 13
Вопросы для самопроверки ..................................................................................... 14

ЛЕКЦИЯ 2 МИКРО- И НАНОРАЗМЕРНЫЕ
АТОМНЫЕ КЛАСТЕРЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
И ИХ СВОЙСТВА ..................................................... 15

2.1. Микрокластеры и их энергетическое состояние ............................................ 15
2.2. Методы получения и применения структур с атомными кластерами ....... 17
2.3. Межфазные границы и их свойства ................................................................. 20
2.4. Возможность формирования структур с минимальным
рассогласованием по параметрам решетки ........................................................... 22
2.5. Напряженные полупроводниковые структуры, их свойства
и применение............................................................................................................... 23
Вопросы для самопроверки ..................................................................................... 26

ЛЕКЦИЯ 3 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНОСТИ
ПЕРСПЕКТИВНЫХ ВИДОВ ЭПИТАКСИИ .............. 27
3.1. Достижения молекулярно-лучевой эпитаксии --">