В. А. Юзова , Г. Н. Шелованова - Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники: лаб. практикум

кремния............................... 26

1.4. Описание технологического и измерительного оборудования .. 27
1.5. Задание на выполнение лабораторной работы ............................ 29
1.6. Порядок выполнения лабораторной работы ................................. 30

1.6.1. Изучение физической сущности получения пористого кремния .......... 30
1.6.2. Подготовка образцов кремния .................................................................... 31
1.6.3. Приготовление электролита для процесса анодирования .................... 31
1.6.4. Подготовка электрохимической ячейки и ее подключение ................... 32
1.6.5. Анодирование кремниевого образца ......................................................... 35
1.6.6. Исследование структурных характеристик низкоразмерного
кремния ..................................................................................................................... 36

1.7. Требования к отчету по лабораторной работе ............................... 38
1.8. Контрольные вопросы ........................................................................ 39
2. Лабораторная работа № 2. ................................. 40
Исследование технологии создания
гетеролазерной структуры методом жидкостной
эпитаксии ................................................................. 40
2.1. Цель работы .......................................................................................... 40
2.2. Задачи лабораторной работы ............................................................ 40


Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Лаб. практикум

3

ОГЛАВЛЕНИЕ

2.3. Теоретические сведения ..................................................................... 41

2.3.1. Гетеролазеры................................................................................................. 41
2.3.2. Процесс жидкостной эпитаксии .................................................................. 45
2.3.3. Твердые растворы Al х Ga1− х As .............................................................. 51

2.4. Описание установки и измерительного оборудования............... 54
2.5. Задание на выполнение лабораторной работы ............................ 58
2.6. Порядок выполнения лабораторной работы ................................. 59
2.7. Требования к отчету по лабораторной работе ............................... 64
2.8. Контрольные вопросы ........................................................................ 64
3. Лабораторная работа № 3. ................................. 65
Исследование электрических и структурных
дефектов поверхности полупроводниковых
подложек .................................................................. 65
3.1. Цель работы .......................................................................................... 65
3.2. Задачи лабораторной работы ............................................................ 65
3.3. Теоретические сведения ..................................................................... 66

3.3.1. Структурные дефекты поверхности .......................................................... 66
3.3.2. Электрические дефекты поверхности ....................................................... 70
3.3.3. Структура жидких кристаллов .................................................................... 72

3.4. Описание установки и измерительного оборудования ................ 74
3.5. Задание на выполнение лабораторной работы ............................ 79
3.6. Порядок выполнения лабораторной работы ................................. 80
3.7. Требования к отчету по лабораторной работе ............................... 81
3.8. Контрольные вопросы ........................................................................ 81
4. Лабораторная работа № 4. ................................. 82
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА
ЭЛЕКТРОФОРЕТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
НАНОАЛМАЗА НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ
РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ
ЭЛЕКТРОНИКИ ......................................................... 82
4.1. Цель работы .......................................................................................... 82
4.2. Задачи лабораторной работы ............................................................ 82
4.3. Теоретические сведения ..................................................................... 83

4.3.1. Перспективы использования наноалмазов в микрои наноэлектронике .................................................................................................. 83
4.3.2. Структура модификаций углерода ............................................................. 84
4.3.3. Классификация алмазов .............................................................................. 85
4.3.4. Термодинамические характеристики ......................................................... 87


Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Лаб. практикум

4

ОГЛАВЛЕНИЕ

4.3.5. Механические свойства алмаза .................................................................. 88
4.3.6. Электрофизические свойства алмаза ....................................................... 88
4.3.7. Оптические свойства алмаза ...................................................................... 89
4.3.8. Химические свойства алмаза ...................................................................... 89
4.3.9. Метод получения наноалмазов детонационным синтезом ................... 89
4.3.10. Свойства очищенного наноалмаза ........................................................... 93
4.3.11. Понятие суспензий и золей........................................................................ 95
4.3.12. Физические основы электрофореза ........................................................ --">