В. А. Юзова - Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники: метод. указания по самостоятельной работе

технических решений;
ПТД-1 – способность разрабатывать технические задания, эскизные
и технические проекты на изготовление приборов, схем и устройств электроники и наноэлектроники различного функционального назначения на основе
базовых конструкций и базовых технологических процессов;
НИД-1 – готовность формулировать цели и задачи научных исследований в соответствии с тенденциями и перспективами развития электроники
и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники, обоснованно
выбирать теоретические и экспериментальные методы и средства решения
сформулированных задач;
НИД-2 – уметь с использованием современных языков программирования разрабатывать и обеспечивать программную реализацию эффективных
алгоритмов решения сформулированных задач;
НИД-3 – знать и владеть принципами планирования и автоматизации
эксперимента на основе информационно-измерительных комплексов как
средства повышения точности и снижения затрат на его проведение, владеть
навыками измерений в реальном времени;
ОУД-3 – уметь разрабатывать планы и программы реализации инновационной деятельности предприятия и управлять программами освоения новых технологий и выпуска новой продукции.



Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Метод. указания по самост. работе

5

1. СТРУКТУРА САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ

Структура самостоятельной работы объемом 54 часа следующая:
• выполнение курсовой работы (объем 36 часов);
• самостоятельное изучение теоретического материала (объем 9 часов);
• самостоятельная подготовка к лабораторным работам (объем 9 часов).
Наглядно структуру самостоятельной работы можно представить в виде табл.1.
Таблица 1
Виды самостоятельной работы и их трудоемкость

Условное Номер темы
обозначение дисциплины
ТО

1.1–2.4

ЛР

1.1–2.4

КР

2.1
Итого:

Вид самостоятельной работы
Самостоятельная подготовка теоретического материала к сдаче
зачета
Подготовка к выполнению и защите лабораторных работ
Курсовая работа

Трудоемкость,
з. е./ч
0,25/9
0,25/9
1,0/36
1,5/54

Теоретический курс содержит семь тем: три темы в первом разделе
(темы 1.1–1.3), четыре темы – во втором (2.1–2.4).
Ниже из программы [1] приведены названия тем, объемы з. е./ч, отводимых на освоение каждой темы как на аудиторных занятиях, так и самостоятельно.
Тема 1.1. Поверхностные и межфазные границы (аудиторные занятия –
0,11 з. е./4 ч; самостоятельная работа по теоретическому изучению темы –
0,06 з. е./2 ч).
Тема 1.2. Перспективные технологии формирования микро- и наноструктур (аудиторные занятия – 0,17 з. е./6 ч).
Тема 1.3. Квантовые основы наноинженерии (аудиторные занятия –
0,12 з. е./4 ч).
Тема 2.1. Технология квантоворазмернывх систем (аудиторные занятия –
0,17 з. е./6 ч; самостоятельная работа по теоретическому изучению темы –
0,06 з. е./2 ч).
Тема 2.2. Реализация устройств на основе высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) (аудиторные занятия – 0,11 з. е./4 ч).
Тема 2.3. Микроволновые и оптоэлектронные технологические и энергетические системы (аудиторные занятия – 0,16 з. е./6 ч).



Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Метод. указания по самост. работе

6

1. СТРУКТУРА САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ

Тема 2.4. Проблемы экстремальной электроники (аудиторные занятия –
0,17 з. е./6 ч, самостоятельная работа по теоретическому изучению темы –
0,13 з. е./5 ч).
Теоретические вопросы, рассматриваемые в каждом модуле, теме с выделением лекций и указанием вопросов для самостоятельного изучения,
приведены ниже.
Модуль 1
Современные тенденции реализации микро- и наноструктур.

Объем: 0,4 з. е./14 ч – аудиторные занятия;
0,06 з. е./2 ч – самостоятельная работа

Тема 1.1. Поверхностные и межфазные границы (аудиторные занятия – 0,11 з. е./4 ч; самостоятельная работа по теоретическому изучению
темы – 0,06 з. е./2 ч).
Лекция 1 (2 ч – аудиторные занятия). Роль поверхности в создании устройств микро- и наноэлектроники. Поверхность и ее свойства. Поверхностный потенциал. Поверхностные состояния. Уровни Тамма. Быстрые и медленные поверхностные состояния.
Лекция 2 (2 ч – аудиторные занятия, 2 ч – самостоятельная работа).
Микро- и наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках и их свойства. Микрокластеры и их энергетическое состояние. Методы получения
и применения структур с атомными --">